企业简介
广镓光电股份有限公司 main business:hardware tool and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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广镓光电股份有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 6225240 |  |
HUGA | 2007-08-17 | 交通闪光灯(信号灯)；警示灯；晶体管；显示器；发光二极管；雷射二极管；光侦检二极管；高功率晶体管；芯片；半导体；集成电路；电子广告板；复印机(光电、静电、热)；计算机硬件；计算机软件；计算器；收款机；照相机；摄录放影机；幻灯机；电影机；录放机；电视机；实验室用仪器；与电视机连用的娱乐器具；日光灯启动器；电池；电瓶；蓄电器；电线；电缆；电话机；传真机；防盗警报器；发光二级管外延片；晶片；自动指示牌；硅外延片；电子布告板；音响导管；交通信号灯(信号装置) | 查看详情 |
广镓光电股份有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | TW200814349 | 发光二极体及其制作方法 | 2008.03.16 | 本发明提供一种发光二极体元件，包含：透明基板、具有第一部份及第二部份之磊晶堆叠结构设置在透明基板上、 |
| 2 | TW200814352 | 具区域性粗化表面之固态发光元件及其制作方法 | 2008.03.16 | 一种具区域性粗化表面之固态发光元件，包含：一基材、一形成于基材并依序具有一第一型半导体层、一发光层及 |
| 3 | CN101355123A | 具有低缺陷密度的半导体发光组件及其制造方法 | 2009.01.28 | 本发明公开了一种半导体发光组件及其制造方法。本发明的半导体发光组件包含一基板、一多层结构以及一欧姆电 |
| 4 | CN101388425A | 光电元件及其制造方法 | 2009.03.18 | 本发明提供一种光电元件，包含：第一电极、基底形成于第一电极上；缓冲层形成于基底上，其中该缓冲层包含： |
| 5 | CN101221998A | 半导体光电组件及其切割方法 | 2008.07.16 | 一种半导体光电组件的切割方法，其是包括以下的步骤：准备半导体光电组件芯片：该半导体光电组件芯片是包含 |
| 6 | CN101355124A | 具有低缺陷密度的半导体发光组件及其制造方法 | 2009.01.28 | 本发明公开了一种半导体发光组件及其制造方法。本发明的半导体发光组件包含一基板、一多层结构以及一欧姆电 |
| 7 | TW416553 | 紧急出口警示牌改良 | 2000.12.21 | 本创作系提供一种紧急出口警示牌改良，藉警示牌之折射部与倾斜之反射面，使整个警示牌产生均匀之光线，并节 |
| 8 | TW200524177 | 发光二极体结构 | 2005.07.16 | 本发明有关于一种具有建构式氧化薄膜接触层(Constructive Oxide Contact St |
| 9 | CN103107270B | 发光二极管装置 | 2016.08.17 | 本发明公开一种发光二极管装置，包括一管芯。该管芯包括一基底以及一叠层结构。该叠层结构位于该基底上且包 |
| 10 | CN105742439A | 半导体发光结构 | 2016.07.06 | 一种半导体发光结构，包括第一掺杂态半导体层、发光层、第二掺杂态半导体层、第一电传导层及多个第一导体。 |
| 11 | TWI533471 | 半导体元件 | 2016.05.11 | 揭露之一实施例中，半导体元件包含一基板及设置于该基板上方之一磊晶层。该基板包含一上表面以及复数个设置 |
| 12 | TWI533469 | 发光二极体 | 2016.05.11 | 发光二极体，包含：一发光结构，包含一第一传导型态半导体层、一发光层、及一第二传导型态半导体层；一间隙 |
| 13 | CN102790156B | 半导体发光结构 | 2016.05.11 | 一种半导体发光结构，包括第一掺杂态半导体层、发光层、第二掺杂态半导体层、第一电传导层及多个第一导体。 |
| 14 | CN105514242A | 半导体发光二极管结构 | 2016.04.20 | 本发明公开了半导体发光二极管结构，包括一外延基底，包含有一主表面和一外露表面；一外延结构，设于外延基 |
| 15 | TWI529963 | 发光元件结构 | 2016.04.11 | 明发光元件包含有一基底；一磊晶结构，设于该基底上，该磊晶结构至少包含有一第一导电型半导体层、一活性发 |
| 16 | TWI527260 | 发光元件结构及其半导体晶圆结构 | 2016.03.21 | 明之发光元件结构包含一基板、设置于该基板之一第一区域上的一第一导电型半导体层、设置于该第一导电型半导 |
| 17 | TWI525820 | 增强型场效电晶体 | 2016.03.11 | 增强型场效电晶体，包括一基板、位于基板上方的一缓冲层、位于缓冲层上方的一第一半导体层、位于第一半导体 |
| 18 | CN102903811B | 发光装置结构 | 2016.01.20 | 本发明公开了一种发光装置，其特征在于包括一基底；一外延结构，设置于基底上，外延结构至少包括第一导电型 |
| 19 | TW201603321 | 发光元件结构 | 2016.01.16 | 发光元件结构，包括一半导体发光叠层具有一第一侧壁以及相对于第一侧壁之一第二侧壁，一布拉格反射结构设置 |
| 20 | CN101599518A | 光电组件及其制造方法 | 2009.12.09 | 本发明提供一种光电组件的外延堆栈结构，包含：一基底；一缓冲层形成在基底上；一光电组件的具有多重结构层 |
| 21 | CN101388428A | 具有高散热效率的半导体发光组件及其制造方法 | 2009.03.18 | 本发明涉及一种半导体发光组件及其制造方法。本发明的半导体发光组件包含一基板、一多层结构、一第一电极结 |
| 22 | CN101552310A | 半导体发光组件 | 2009.10.07 | 本发明揭露一种半导体发光组件。半导体发光组件包含基板、第一传导型态半导体材料层、第二传导型态半导体材 |
| 23 | TWI334654 | 固态发光元件及其制作方法 | 2010.12.11 | |
| 24 | 高效率发光二极体 | 2011.01.11 | ||
| 25 | CN102738346B | 半导体发光结构 | 2015.12.16 | 一种半导体发光结构，包括第一导电性半导体层、第二导电性半导体层、发光层、第一电极、绝缘层及第一粘着层 |
| 26 | CN103094444B | 半导体发光二极管结构 | 2015.12.16 | 本发明公开了半导体发光二极管结构，包括一外延基底，包含有一主表面和一外露表面；一外延结构，设于外延基 |
| 27 | TWI506788 | 场效电晶体 | 2015.11.01 | |
| 28 | CN101335317B | 具电磁波雕刻刻痕基板的半导体发光组件及其制造方法 | 2010.12.08 | 本发明公开一种供一半导体发光组件磊晶的基板及其制造方法。本发明的基板的一上表面具有数个电磁波雕刻的刻 |
| 29 | CN101398156B | 半导体发光组件 | 2010.11.10 | 本发明涉及一种半导体发光组件。本发明的半导体发光组件包含一基板、一多层结构、至少一个电极结构以及一光 |
| 30 | TWI499089 | 发光元件结构 | 2015.09.01 | |
| 31 | TWI488337 | 发光元件及其制作方法 | 2015.06.11 | |
| 32 | CN102881706B | 发光元件及其制作方法 | 2015.05.20 | 本发明提供一种发光元件及其制作方法，发光元件包括基板、发光结构区域、静电放电保护结构区域、沟槽、导电 |
| 33 | TWI483431 | 半导体发光结构 | 2015.05.01 | |
| 34 | TWI483433 | 发光模组 | 2015.05.01 | |
| 35 | CN102263174B | 半导体发光元件 | 2015.04.29 | 本发明公开一种半导体发光元件，其包括一基板，此基板具有一表面包括一平面以及复数个突起物突出于此平面， |
| 36 | TWI479696 | 发光二极体装置 | 2015.04.01 | |
| 37 | TWI479686 | 发光二极体 | 2015.04.01 | |
| 38 | TWI478372 | 具有中空结构之柱状结构之发光元件及其形成方法 | 2015.03.21 | |
| 39 | CN104425585A | 高电子迁移率晶体管 | 2015.03.18 | 本发明公开一种高电子迁移率晶体管，包含：一基板；一外延叠层位于基板上，包含第一区域及环绕第一区域的第 |
| 40 | TW201501358 | 发光二极体组件及制作方法;LIGHT-EMITTING DIODE ASSEMBLY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF | 2015.01.01 | 本发明之实施例揭露有一发光二极体组件，其包含有一透明基板、数个发光二极体晶片、一第一电极板以及一第二 |
| 41 | TW201501364 | 发光组件及制作方法;LIGHTING ASSEMBLY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF | 2015.01.01 | 本发明之一实施例揭露有一发光二极体组件，其包含有一透明基板、数个发光二极体晶片、一线路、一透明封装体 |
| 42 | TW201448268 | 半导体元件;SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE | 2014.12.16 | 在本揭露之一实施例中,半导体元件包含一基板及设置于该基板上方之一磊晶层。该基板包含一上表面以及复数个 |
| 43 | TW201444116 | 半导体发光二极体结构;SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE | 2014.11.16 | 一种半导体发光二极体结构,包含有一基板,此基板包含有一主表面和一未被发光二极体结构覆盖之表面;一磊晶 |
| 44 | CN101661981B | 用于制造发光元件的基板以及利用该基板制造的发光元件 | 2014.10.22 | 本发明涉及一种用于制造发光元件的基板以及利用所述基板制造的发光元件，所述基板包括：至少一个平台区，具 |
| 45 | TW201436208 | 增强型场效电晶体;ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | 2014.09.16 | 一种增强型场效电晶体,包括一基板、位于基板上方的一缓冲层、位于缓冲层上方的一第一半导体层、位于第一半 |
| 46 | TW201428998 | 半导体发光元件;SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE | 2014.07.16 | 本揭露之半导体发光元件之一实施例包含一基板、设置于该基板上方之一第一导电型半导体层、设置于该第一导电 |
| 47 | TW201427003 | 场效电晶体;FIELD EFFECT TRANSISTOR | 2014.07.01 | 一种场效电晶体，包括一基板、位于基板上方的一碳掺杂半导体层、位于碳掺杂半导体层上方的一本质半导体通道 |
| 48 | CN103346228A | 半导体元件 | 2013.10.09 | 在本发明的一实施例中，半导体元件包含一基板及设置于该基板上方的一外延层。该基板包含一上表面以及多个设 |
| 49 | CN102201510B | 半导体元件 | 2013.07.24 | 在本发明的一实施例中，半导体元件包含一基板及设置于该基板上方的一外延层。该基板包含一上表面以及多个设 |
| 50 | CN103107270A | 发光二极管装置 | 2013.05.15 | 本发明公开一种发光二极管装置，包括一管芯。该管芯包括一基底以及一叠层结构。该叠层结构位于该基底上且包 |
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